Silīcija karbīda Šotki barjerdiodes (SBD) raksturojums

Silīcija karbīda Šotki barjerdiodes (SBD) raksturojums

SiC SBD (Schottky barjerdiodes) ar pārtraukuma spriegumu 600 V (ļoti pārsniedz silīcija SBD augšējo robežu) un vairāk ir viegli iegūt. Salīdzinot ar silīcija FRD (ātrās atkopšanas diode), SiC SBD ir daudz mazāka reversās atkopšanas strāva un atkopšanas laiks, tādējādi ievērojami samazinot atkopšanas zudumus un trokšņa emisiju. Turklāt, atšķirībā no silīcija FRD, šie raksturlielumi netiek būtiski mainīti strāvas un darba temperatūras diapazonā. SiC SBD ļauj sistēmu dizaineriem uzlabot efektivitāti, samazināt siltuma izlietņu izmaksas un izmērus, palielināt pārslēgšanās frekvenci, lai samazinātu magnētisko komponentu izmēru un izmaksas utt.

SiC-SBD arvien vairāk tiek izmantots jaudas koeficienta korektoros (PFC) un sekundārajos tilta taisngriežos komutācijas barošanas blokos. Mūsdienu lietojumi ietver gaisa kondicionēšanu, saules gaisa kondicionēšanu, elektrisko transportlīdzekļu lādētājus, rūpnieciskās iekārtas utt.

ROHM pašreizējā SiC SBD klāstā ietilpst 600 V un 1200 V; Nominālās strāvas diapazons ir no 5A līdz 40A. Tiek izstrādāta 1700 V ierīce.

SiC priekšrocības pusvadītājos

Tā kā elektronisko ierīču un loģisko paneļu tirgus turpina augt, tradicionālā silīcija trūkumi kļūst arvien pamanāmāki. Tāpēc dizaineri un ražotāji ir meklējuši labākus un gudrākus veidus, kā ražot šīs svarīgās sastāvdaļas. Silīcija karbīds ir tāda eksistence. Salīdzinot ar tradicionālo silīcija tehnoloģiju, silīcija karbīda tehnoloģija var apvienot divus svarīgus augstas frekvences un augsta spiediena raksturlielumus, pateicoties tā lielajam joslas atstarpei un lieliskajai siltumvadītspējai. Turklāt tādu pašu specifikāciju silīcija karbīda mikroshēmas ir tikai viena desmitā daļa no silīcija mikroshēmām. Turklāt sistēmas lietojumos, kuru pamatā ir silīcija karbīda tehnoloģija, mazākas prasības siltuma izkliedēšanai un mazāki pasīvie komponenti ievērojami samazina ierīces kopējo izmēru.

Tāpēc silīcija karbīda jaudas pusvadītāji izceļas starp parastajiem silīcija pusvadītājiem, un tiem ir plašas pielietojuma iespējas tādās jomās kā elektroniskā jauda, ​​optoelektronika un mikroviļņu komunikācija.

Www.superbheater.com